Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи
Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с одноуровневой структурой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes.
Новая технология позволяет выполнять около 1 млн циклов перезаписи информации без снижения надежности. Для сравнения, современная флэш-память поддерживает около 10 тыс. циклов перезаписи, после чего сохранность информации уже не гарантируется. Разработчики уверены, что новая технология может использоваться для изготовления микросхем памяти, используемых в корпоративных системах хранения данных, кэш-памяти в жестких дисках, в сетевых устройствах и других областях применения, проявляющих к надежности повышенные требования.
Компания Micron приступила к поставкам тестовых образцов новой памяти емкостью 32 Гбит (4 ГБ), в то время как массовое производство планируется начать а I квартале 2009 г.
Заявленное Micron число циклов не смогло, однако, побить рекорд ученых из японского Института современной прикладной науки и технологий, разработанная которыми память выдерживает 100 млн циклов. Но она выполнена из сегнетоэлектрика, а не полупроводника. Коммерциализация этой технологии планируется в течение нескольких лет.
|
