До сих пор рекордсменом среди карт GeForce RTX 40-й серии по количеству используемых вентиляторов в системе охлаждения были видеокарты GeForce RTX 4090 и RTX 4080 Serious Gaming от компании Galax. Их системы охлаждения имеют по три вентилятора охлаждения, однако для видеокарт предлагается дополнительный четвёртый вентилятор, который крепится к задней усиливающей пластине ускорителей. Если же вспоминать ускорители прошлых поколений, то там тоже было не больше четырёх вентиляторов — например, у iChill X4 компании Inno3D.

Модели GeForce RTX 4070 Ti Mega Gamer OC и GeForce RTX 4080 Mega Gamer OC от MaxSun в свою очередь оснащаются помимо трёх основных вентиляторов большого диаметра двумя дополнительными компактными вентиляторами, которые расположены на боковой грани. Причём изначально являются частью системы охлаждения видеокарты.

Новинки имеют весьма футуристический внешний вид и оснащены RGB-подсветкой, которая также служит в качестве матричного светодиодного дисплея.

К сожалению, MaxSun не озвучила детальные технические характеристики видеокарт. Известно лишь, что новинки предложат заводской разгон своих графических процессоров. Судя по всему, указанные модели видеокарт они будут относиться к старшему сегменту ассортимента продуктов производителя.

Изначально предполагалось, что изделия Thunder Bay совместят х86-ядра Xeon и ядра Movidius VPU для ускорения обработки визуальных данных и машинного зрения. Позднее появилась информация, что процессоры Thunder Bay, вероятно, получат вычислительный блок на базе энергоэффективных ядер Arm Cortex-A53. На это указывали изменения, которые Intel начала вносить в код ядра. Долгое время о проекте практически ничего не было слышно. И вот теперь стало известно, что изделиям Thunder Bay не суждено увидеть свет.

О причинах сворачивания инициативы ничего не сообщается. По всей видимости, это связано с финансовыми трудностями и масштабной реорганизацией Intel, в ходе которой будут сокращены тысячи сотрудников. Отмечается, что уже начался процесс удаления кода, связанного с поддержкой Thunder Bay, из ядра Linux. Сама корпорация ситуацию никак не комментирует.

Нетрудно понять, что инженеры SK hynix работали по двум основным и важнейшим направлениям: повышали плотность записи (снижали стоимость хранения каждого бита данных) и повышали производительность. С появлением «многоэтажной» 3D NAND повышение плотности записи стало довольно просто в идее, но сложно в исполнении — это увеличение числа слоёв с одновременным сокращением шага между слоями. И то и другое ведёт к росту сопротивления линии wordline (WL), соединяющей ячейки в строке матрицы. Этот рост приходится тем или иным образом компенсировать, иначе пострадают быстродействие и энергоэффективность.

Представленный компанией SK hynix прототип чипа памяти NAND с более чем 300 слоями состоял из трёхбитовых (TLC) ячеек и мог похвастаться ёмкостью 1 Тбит. За счёт увеличения числа слоёв плотность размещения ячеек выросла с 11,55 Гбит/мм2 у актуальной 238-слойной памяти до более чем 20 Гбит/мм2. Общую производительность памяти поднимали пятью отдельными способами, в целом направленными на ускорение процессов записи, стирания и чтения. Для этого пришлось внести изменения в последовательности и тайминги команд.
В частности, реализован метод тройной проверки программирования (TPGM) вместо ранее двойной проверки DPGM. В новой версии ячейки делятся на четыре группы, а не на три. Технология TPGM уменьшает параметр tPROG и это вместе с увеличенной разбивкой примерно на 10 % сокращает время программирования ячеек.
Также параметр tPROG уменьшает новая технология адаптивного предварительного заряда невыбранной строки (AUSP). Это ускоряет работу с ячейками ещё примерно на 2 %. Ещё немного ускорения получается за счёт снижения емкостной нагрузки на линию WL, что даёт метод программируемой фиктивной строки (PDS). Метод всепроходного нарастания (APR) даёт уменьшение времени считывания (tR), что выражается в сокращении времени реакции линии WL на новый уровень напряжения и улучшает время чтения на 2 %. Наконец, для улучшения качества обслуживания во время стирания используется метод повторного чтения на уровне плоскости (PLRR).

Всё вместе, как сказано выше, позволило поднять скорость работы 1-Тбит 3D NAND TLC компании и SK hynix за поколение с 164 Мбайт/с до 194 Мбайт/с с одновременным увеличением плотности записи. Уточним, представители компании не стали и вряд ли могли раскрыть производственный график по выпуску памяти NAND 300+. Можно ожидать, что она начнёт появляться не раньше начала следующего года. Пока же и в течение текущего года в производстве будет находиться память с 230+ слоями, выпуск которой в той или иной степени наладили все главные игроки рынка NAND-памяти.