В то время как Apple и Google заняты распространением облачных сервисов хранения для ваших мобильных устройств, Samsung уже разработала флэш-накопитель следующего поколения. Южнокорейский производитель объявил о выпуске V-NAND пятого поколения, который поставляется с чипами eUFS емкостью 1 ТБ.

Новый чип обладает таким же размером, что и накопитель прошлого поколения на 512 ГБ – 11,5 х 13 мм. Новый модуль выполнен из 16 слоев 5-гигабитного V-NAND, а новейший контроллер, по словам Samsung, обеспечит наилучшую производительность в отрасли мобильных накопителей.

Чипы Universal Flash Storage первого поколения появились 4 года назад объемом в 128 ГБ. Хотя в то время они были относительно быстрыми, скорости чтения и записи более чем удвоились. Для своего времени эти модули памяти от Samsung были очень быстрыми, но к моменту выхода V-NAND пятого поколения их скорость чтения и записи удвоилась.

Samsung заявляет, что скорость последовательного чтения составляет до 1000 МБ/с, что вдвое больше, чем у обычного 2,5-дюймового SATA SSD, а частота последовательной записи теперь достигает 260 МБ/с. Случайное чтение на 1 ТБ оказалось на 38% быстрее по сравнению со старым чипом четвертого поколения на 512 ГБ.

На практике такие скорости позволят следующему смартфону Samsung Galaxy S10, к примеру, плавно снимать видео со скоростью 960 кадров на секунду без задержек, или хранить около 100 часов видео в разрешении 4K.